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当使用红外线或红光测量脉搏波时,受到室外阳光中包含的红外线的影响,不能进行稳定的脉搏波测量。因此,建议仅将其用于室内或半室内应用。在运动腕表等户外用途,血液中的血红蛋白的吸收率高,由于绿光源较少受环境光的影响,我们将绿LED作为照射光使用。脉搏传感器的应用通常,通过观察以下两点可以测量动脉血氧饱和度(SpO2)。通过脉搏传感器获得的波形的变动周期,观察心率(脉率);通过使用红外线和红光两个波长,来观察脉动(变化量)。
灵敏度KH=EH/IB,它的数值约为10MV(MA.T)左右。大磁感应强度BM---霍尔传感器参数磁感应强度超过BM时,霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大,特斯捡(T)成几千高斯(Gs)(1Gs=104T)。在额定激励电流F,当外加磁场为零时它是由于4个屯的几何尺寸不对称引起的误差。霍尔传感器屯势温度系数6M的数值一般为零点刀霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等位电势,使用时多采用电桥法来补偿不等位电势引起日在一定磁感应强度和激励电流的作用下,温度每变化1摄氏度时,霍尔传感器电势变化的百分数弱为霍尔传感器电势温度系数,它与霍尔传感器元件的材料有关。
侧边光生伏特效应的工作上基本原理是,半导体器件光照部分吸收人射光子美容的机械能导致电子元器件空蚀对,使该部分载流子质量浓度高过未被光照部分,因而出现了浓度梯度,造成载流子的扩散。由于电子元器件迁移率比空蚀的大,因此电子元器件开始向未被光照部分扩散,造成被光照部分带正电,未被光照部分带负电,两部分正中间导致光电动势。PN结光生伏特效应光直射距表面很近的半导体器件PN结时,结及附近的半导体器件消化光能。若光子美容机械能超出禁带宽度,则价带电子元器件自由电子到导带,变为自由电子,而价带则相对性变为随便空蚀。这类电子元器件空蚀对在PN结內部电场的作用下,电子元器件调向N区两边,空蚀调向P区两边,结果P区带正电,N区带负电,造成光电动势。