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　　电阻应变式传感器传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。

　　霍尔传感器是基于霍尔效应的磁传感器。将一个有电流的物体放在磁场中。如果电流方向和磁场方向相互垂直，则在同时垂直于磁场和电流方向的方向上会产生横向电位差。这种现象称为霍尔效应，由此产生的电位差称为霍尔电压。霍尔器件由产生显着霍尔效应的半导体材料制成。作为霍尔传感器中的磁电转换元件，可用于电磁测量，如测量磁场、电流、电功率等磁物理量和电。霍尔传感器还可以利用磁场作为介质，实现许多物理量的非接触式测量。

　　传感器的静态特性主要由下列几种性能来描述: 线性度（非线性误差）。迟滞（回差滞环）现象。（Sensor）是一种常见的却又很重要的器件，它是感受规定的被测量的各种量并按一定规律将其转换为有用信号的器件或装置。对于来说，按照输入的状态，输入可以分成静态量和动态量。我们可以根据在各个值的稳定状态下，输出量和输入量的关系得到传感器的静态特性。传感器的静态特性的主要有线性度、迟滞、重复性、灵敏度和准确度等。传感器的动态特性则指的是对于输入量随着时间变化的响应特性。动态特性通常采用传递函数等自动控制的模型来描述。通常，传感器接收到的信号都有微弱的低频信号，外界的干扰有的时候的幅度能够超过被测量的信号，因此消除串入的噪声就成为了一项关键的。