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　　压力传感器是使用*为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主，以弹性元件的形变指示压力，但这种结构尺寸大、质量轻，不能提供电学输出。随着半导体技术的发展，半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。是随着MEMS技术的发展，半导体传感器向着微型化发展，而且其功耗小、性高。压力传感器作为工业实践中*为常用的一种传感器，其广泛的别应用与各种工业领域，如水利水电、铁路交通、智能建筑、、船舶、机床、**、石化、油井、电力、生产自控、航空航天管道等众多行业，压力传感器在机械工程学中被定义为:能够感受压力并转换成可用输出信号的传感器。

　　电阻应变式传感器传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。

　　霍尔传感器是基于霍尔效应的磁传感器。将一个有电流的物体放在磁场中。如果电流方向和磁场方向相互垂直，则在同时垂直于磁场和电流方向的方向上会产生横向电位差。这种现象称为霍尔效应，由此产生的电位差称为霍尔电压。霍尔器件由产生显着霍尔效应的半导体材料制成。作为霍尔传感器中的磁电转换元件，可用于电磁测量，如测量磁场、电流、电功率等磁物理量和电。霍尔传感器还可以利用磁场作为介质，实现许多物理量的非接触式测量。