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N型或P型参杂半导体器件在光照射下，光子美容机械能如果分别超出施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei（eV），得出图（b）或图（c）图例，光能即被消化，激发能够报名参加导电率的光生电子元器件或空蚀。参杂半导体器件导致光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。 电子光学导效应电路原理图当光敏电阻接上交流电流Vb，共用务必抗拉强度、光波长小于λ0的灯源不断照射时，其输出交流电压i0为
霍尔传感器在各大领域的应用按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量。例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。线性型霍尔传感器主要用于一些物理量的测量。
用于流量测量的霍尔效应传感器。该腔室设有流体流入和流出的开口，流体流过这些开口。带有螺纹轴布置的弹簧加载桨使磁性组件朝向霍尔磁体来回移动。随着通过腔室的流速增加，弹簧加载的桨叶转动螺纹轴。因此，当轴转动时，磁性组件会向上升高，从而使传感器通电。当流量减少时，弹簧线圈会导致磁性组件下降。因此，换能器输出降低。整个布置经过校准，使得测得的电压和流速之间存在线性关系。在这种方法中，霍尔效应传感器用于确定浮子的高度，从而测量罐中的液位。下图说明了浮子和霍尔效应元件在罐中的布置。浮子附有一块磁铁，这样它的驱动就会改变离霍尔元件远近的磁场距离。