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回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列，固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA，时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列
开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列，传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。
光电效应的实验设备如下图所示。光电管的阳处理A接高电位，负级K接低电势差，则阳处理和负级正中间有个加速电场，电场方向由A偏重K。正中间的工作频率由电流计V载入，工作频率的规格由变阻器R得出。图中，G是机敏电流计。实验注重，当负级没有遭到光照射时，开关电源原理中大部分没有电流值；当负级遭到光照射时，开关电源原理中就马上电流值出现。光照多久，电流值就维持多久；光照停止，电流值也就消散。这就说明当光照射时，有电子元器件从电子光学负级逸出。在加速电场作用下，电子元器件飞向阳处理，从而在控制电路中造成光电流。
光电效应的实验装置物质在光的作用下释放出电子，这种现象叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。受光照物体电导率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率的变化，这种现象称为光电导效应。大多数的高电阻率半导体都具有光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻（也称光电导管），其常用的材料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。
纯半导体在光线照射下，其禁带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度Eg（eV）的光子的激发，由价带越过禁带跃迁到导带，成为自由电子。同时，价带也因此而形成自由空穴。致使纯半导体中导带的电子和价带的空穴浓度增大，半导体电阻率减小。电子和空穴统称为载流子。它们在端电压作用下均可形成光电流。当光照停止后，自由电子被失去电子的原子俘获，电阻又恢复原值。能使价带电子跃迁到导带的光谱范围中，其大的波长λ0（nm）称为截止波长，λ0≈1240/Eg。