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在各种传感技术中，常用和广泛的检测磁场的方法是霍尔效应法。基于霍尔效应，在各种应用中发现了许多霍尔效应传感器或换能器，它们常用于感测接近度、速度、电流和位置。这是因为可以在集成电路上构建霍尔效应传感器，并在同一硅芯片上使用辅助信号处理电路。由于体积小、坚固耐用、易于使用和成本集成等优点，霍尔效应传感器是许多磁测量应用的首选。使用这些霍尔效应传感器的一些应用领域包括在工业控制中用作编码器、速度传感器和行程终点传感器;在计算机中用作磁盘驱动器索引传感器和无刷风扇的换向;在汽车中用作防抱死制动系统 (ABS) 和点火正时，在消费设备中用作运动器材等。
光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
PN结光生电流值与人射光照度正比例，光生伏特与光照度大部分正比例。由于光生电子元器件、空蚀在扩散过程时候分别与半导体器件空蚀、电子元器件复合性，因此载流子的使用期与扩散长度有关。只有使PN结距表面的厚薄小于扩散长度，可以造成光电流导致光生伏特。在建筑项目上，应用变更PN结距表面厚薄的规格的方法，可以调整依据PN结光生伏特效应的半导体器件的相频特性特性、光电流跟光生电势差规格。