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硅制图像传感器应用广,当然也会使用其他材料,比如在工业和军事应用中会用镓(Ga)来覆盖比硅更长的红外波长。不同的摄像机,其图像传感器的分辨率会有所不同。从单像素光电晶体管摄像机(它通过一维直线扫描阵列用于工业应用),到普通摄像机上的二维长方形阵列(到球形整列的路径均用于高分辨率成像),都有可能用到。(本章会介绍传感器配置和摄像机配置)。普通成像传感器采用CCD、CMOS、BSI和Foveon方法进行制造。硅制图像传感器具有一个非线性的光谱响应曲线,这会很好地感知光谱的近红外部分,但对蓝、紫和近紫外部分就感知得不好。
当一次线圈接入激励电源后,二次线圈就将产生感应电动势,当两者间的互感量变化时,感应电动势也相应变化。由于两个二次线圈采用差动接法,故称为差动变压器式传感器,简称差动变压器。差动变压器的结构差动变压器结构形式较多,有变隙式、变面积式和螺线管线等。a、b两种结构的差动变压器,衔铁均为板形,灵敏度高,测量范围则较窄,一般用于测量几微米到几百微米的机械位移。(a)、(b)变间隙式差动变压器
光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件,这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下,物块内的电子元器件逸出物块表面,向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化,或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下,电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况,而导致原料电阻器的变化,这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻(也称电子光学塑料软管),其普遍的原料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。