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原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离，隔离电压可达9600Vrms；精度高:在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于波形的测量；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs；但是，电压传感器带宽较窄，一般在15kHz以内，6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS，带宽约700Hz。
光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
通过上文的介绍不难看出，霍尔效应传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，可以广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。另外，霍尔效应传感器也是一个换能器，它将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场，此外还可测量产生和影响磁场的物理量，例如被用于接近开关、位置测量、转速测量和电流测量设备。霍尔传感器是排名第三的传感器产品，它被广泛应用到工业、汽车业、电脑、手机以及新兴消费电子领域。