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式中，η 内光量子效率高（光生载流子数与人射光子美容数占比）；μc——大多数载流子的迁移率；τ——大多数载流子使用期；d——光敏电阻两电级间距；p——光源射进功率；e——普朗克常数，为6.6261×10-34J s。随光能的提高，光生载流子质量浓度虽然也因之激增，但一块儿电子元器件与空蚀间的复合性速度也加快，因此低于截止波长的光动能与半导体所导致的光电流的特性趋势图并非线性相关。
如果S保持不变，则L为 δ 的单值函数，可构成变气隙型自感传感器；如果保持δ 不变，使S随位移而变，则可构成变截面型自感传感器；如果在线圈中放入圆柱形衔铁，当衔铁上下移动时，自感量将相应变化，就构成了螺线管型自感传感器。变气隙式自感传感器变气隙式自感传感器结构变面积式自感传感器变面积式自感传感器结构由于漏感等原因，其线性区范围较小，灵敏度也较低，因此，在工业中应用得不多。
此外，这些脉冲由处理器控制以确定并显示RPM中的速度。这些传感器可以是数字或线性模拟输出传感器。无刷直流电机传感器无刷直流电机的功率分配由电子换向控制，而不是机械换向。三个双性霍尔效应传感器放置在定子一端靠近转子磁面的位置，以执行电子换向。为了操作这些传感器，永磁材料安装在转子轴上。这些传感器测量旋转磁铁的位置，以便确定何时应将电流施加到电机线圈的电流上，从而使磁铁朝正确的方向旋转。