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N型或P型掺杂半导体在光照射下,光子能量只要分别大于施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei(eV),光能即被吸收,激发出能参与导电的光生电子或空穴。掺杂半导体产生光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。图 光电导效应机理图当光敏电阻接上直流电压Vb,并用一定强度、波长小于λ0的光线连续照射时,其输出直流电流i0为式中,η 内光量子效率(光生载流子数与人射光子数之比);μc——多数载流子的迁移率;τ——多数载流子寿命;d——光敏电阻两电间距;p——入射光功率;e——普朗克常数,为6.6261×10-34J•s。
霍尔传感器的分类霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射跟随器组成,它输出模拟量。开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场。
当一次线圈接入激励电源后,二次线圈就将产生感应电动势,当两者间的互感量变化时,感应电动势也相应变化。由于两个二次线圈采用差动接法,故称为差动变压器式传感器,简称差动变压器。差动变压器的结构差动变压器结构形式较多,有变隙式、变面积式和螺线管线等。a、b两种结构的差动变压器,衔铁均为板形,灵敏度高,测量范围则较窄,一般用于测量几微米到几百微米的机械位移。(a)、(b)变间隙式差动变压器