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贝克勒耳（Becquerel）效应贝克勒耳效应是液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液中的两个同样电中的任一个电时，在两个电间将产生电势的现象称为贝克勒耳效应。基于该效应的有感光电池。图像传感器是为满足不同应用的目标而设计的，它提供了不同级别的灵敏度和质量。想要熟悉各种传感器，可查阅其厂商信息。例如，为了在硅基模和动态响应(用于实现光强度和颜检测)之间有一个好的折中，对一个特定的半导体制造过程，需优化每个光电二管传感器单位的大小和组成成分。
随光能的增加，光生载流子浓度虽然也因之剧增，但同时电子与空穴间的复合速度也加快，因此低于截止波长的光能量与半导体所产生的光电流的特性曲线不是线性关系。光生伏特效应 物体（如半导体）在光的照射下能产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基。于该效应的光电器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其产生电势的机理可分为:侧向光生伏特效应侧向光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。
光敏二管是常见的光传感器。光敏二管的外型与一般二管一样，当无光照时，它与普通二管一样，反向电流很小，称为光敏二管的暗电流；当有光照时，载流子被激发，产生电子-空穴，称为光电载流子。在外电场的作用下，光电载流子参与导电，形成比暗电流大得多的反向电流，该反向电流称为光电流。光电流的大小与光照强度成正比，于是在负载电阻上就能得到随光照强度变化而变化的电信号。光敏三管除了具有光敏二管能将光信号转换成电信号的功能外，还有对电信号放大的功能。光敏三级管的外型与一般三管相差不大，一般光敏三管只引出两个——发射和集电，基不引出，管壳同样开窗口，以便光线射入。为增大光照，基区面积做得很大，发射区较小，入射光主要被基区吸收。工作时集电结反偏，发射结正偏。在无光照时管子流过的电流为暗电流Iceo=（1+β）Icbo（很小），比一般三管的穿透电流还小；当有光照时，激发大量的电子-空穴对，使得基产生的电流Ib增大，此刻流过管子的电流称为光电流，发射电流Ie=（1+β）Ib，可见光电三管要比光电二管具有更高的灵敏度。