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  贝克勒耳(Becquerel)效应贝克勒耳效应是液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液中的两个同样电中的任一个电时,在两个电间将产生电势的现象称为贝克勒耳效应。基于该效应的有感光电池。图像传感器是为满足不同应用的目标而设计的,它提供了不同级别的灵敏度和质量。想要熟悉各种传感器,可查阅其厂商信息。例如,为了在硅基模和动态响应(用于实现光强度和颜检测)之间有一个好的折中,对一个特定的半导体制造过程,需优化每个光电二管传感器单位的大小和组成成分。

  霍尔效应IC采用各种配置的硅CMOS技术制造。上图显示了4引脚封装的霍尔效应传感器IC。在总共4个引脚中,有2个引脚连接到恒压源,另外两个连接到电压表。连接布置电路如下图所示。当没有磁场时,测得的薄板电压可以忽略不计。当磁场以磁通线与流过霍尔元件的电流成直角的方式施加在偏置霍尔效应传感器上时,霍尔IC的输出端会产生与大小成比例的电压到磁场强度。霍尔效应传感器需要一个信号调理电路,以使其输出可用于许多其他应用。该信号条件电路进行放大、电压调节、温度补偿、线性等。目前主要有两种类型的霍尔效应传感器,即模拟霍尔效应传感器和双性霍尔效应传感器。

  如下图所示,检测流动电流的方法大致可分为电阻检测型和磁场检测型。电阻检测型将分流电阻引发的电压降转换为电流。安装简单而且价廉物美,操作简单,但缺点是电阻上的功率损耗会产生较大的发热量。磁场检测型<有铁芯>根据电流线中流动的电流测量铁芯中产生磁场的大小,以此来测量电流值。这种方法无需接触,功率损耗较小,但铁芯较大,存在贴装面积大的课题。<无铁芯>利用霍尔效应将流动电流周围产生的磁场转换为电压(霍尔电压)进行测量,以此来测量电流值。因为霍尔效应产生的电压较小,所以IC由霍尔元件和放大电路构成。因为需要将电流引入IC内,所以会产生功率损耗。

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