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这里考虑一个简单的设置来说明如下所示的霍尔效应。导电材料或板由电池供电,电流(I)流过它。电压表的一对探头连接到板的侧面,使得在没有磁场的情况下测量的电压为零。当向板上施加磁场使其与电流成直角时,导体中的电流分布会出现一个小电压。该力作用在电流上并将电流聚集到导线或导体的一侧,从而在导体上产生电位差。如果磁场的性反转,则感应电压也会反转穿过板。这种现象就是霍尔效应。霍尔效应是基于外部磁场和移动电荷载流子之间的相互作用,通过磁场作用在移动电子上的侧向力为:F=qvB。
PN结光生电流值与人射光照度正比例,光生伏特与光照度大部分正比例。由于光生电子元器件、空蚀在扩散过程时候分别与半导体器件空蚀、电子元器件复合性,因此载流子的使用期与扩散长度有关。只有使PN结距表面的厚薄小于扩散长度,可以造成光电流导致光生伏特。在建筑项目上,应用变更PN结距表面厚薄的规格的方法,可以调整依据PN结光生伏特效应的半导体器件的相频特性特性、光电流跟光生电势差规格。
光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件,这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下,物块内的电子元器件逸出物块表面,向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化,或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下,电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况,而导致原料电阻器的变化,这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻(也称电子光学塑料软管),其普遍的原料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。