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光电导效应。当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射的光子产生电子空穴对，使其自身电导率发生变化的现象（光敏电阻、光电二管、光电三管）。光生伏特效应。光照射引起PN结两端产生电动势（光电池）。红限频率:产生光电效应所需照射光的频率叫做红限频率（又称截止频率）。逸出功:电子克服原子核的束缚，从材料表面逸出所需的小能量，称为逸出功。爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其中，Ek 表示逸出的光电子所具有的动能，普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s，ν 表示入射光的频率，Wo表示逸出功 ）。
物质被放射线照射后．其某些特性(如折射率)发生变化的现象．统称为放射线效应。例如，某些成分制成的光纤(掺锗光纤)受到放射线作用后，其折射率发生变化．使接收的光强度变化，因此可制成光纤放射线传感器。放射线与物质的作用是一切核辐射传感器的基础。视觉传感器具有从一整幅图像捕获光线的数以千计的像素。图像的清晰和细腻程度通常用分辨率来衡量，以像素数量表示。视觉传感器的低成本和易用性已吸引机器设计师和工艺工程师将其集成入各类曾经依赖人工、多个光电传感器，或根本不检验的应用。视觉传感器的工业应用包括检验、计量、测量、定向、瑕疵检测和分捡。
带背景/前景消影功能的光电传感器对比度检测光电传感器荧光检测光电传感器颜检测光电传感器光电传感器的开关输出形式:常开/常闭 VS 亮通/暗通。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类，而内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。所谓的外光电效应是指:在光的照射下，物体内的电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象。根据外光电效应制成的器件有光电管，光电倍增管等。而（半导体的）内光电效应是指:光照射在光敏材料上，材料中处于价带的电子吸收光子的能量后，通过禁带跃迁至导带，使导带内电子浓度和价带内空穴增多，即激发出电子空穴对，从而使半导体材料的电阻率发生变化或产生光生电动势的现象。