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光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件,这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下,物块内的电子元器件逸出物块表面,向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化,或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下,电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况,而导致原料电阻器的变化,这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻(也称电子光学塑料软管),其普遍的原料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。
N型或P型掺杂半导体在光照射下,光子能量只要分别大于施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei(eV),光能即被吸收,激发出能参与导电的光生电子或空穴。掺杂半导体产生光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。图 光电导效应机理图当光敏电阻接上直流电压Vb,并用一定强度、波长小于λ0的光线连续照射时,其输出直流电流i0为式中,η 内光量子效率(光生载流子数与人射光子数之比);μc——多数载流子的迁移率;τ——多数载流子寿命;d——光敏电阻两电间距;p——入射光功率;e——普朗克常数,为6.6261×10-34J•s。
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