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光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
式中，η 内光量子效率高（光生载流子数与人射光子美容数占比）；μc——大多数载流子的迁移率；τ——大多数载流子使用期；d——光敏电阻两电级间距；p——光源射进功率；e——普朗克常数，为6.6261×10-34J s。随光能的提高，光生载流子质量浓度虽然也因之激增，但一块儿电子元器件与空蚀间的复合性速度也加快，因此低于截止波长的光动能与半导体所导致的光电流的特性趋势图并非线性相关。
国家标准GB/T7665-2005对传感器的定义是:“ 能感受被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成 ”。传感器组成框图其中，敏感元件是指能直接感受或响应被测量的部分，输出与被测量有确定关系的物理量信号，如应变式压力传感器的弹性膜片就是敏感元件,它将被测压力转换成弹性膜片的变形。转换元件将敏感元件输出的物理量信号转换为电信号，如应变式压力传感器中的应变片就是转换元件,它将弹性膜片在压力作用下的变形转换成应变片电阻值的变化。如果敏感元件直接输出电信号,则这种敏感元件同时兼为转换元件,如热电偶将温度变化直接转换成热电势输出。