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光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
PN结光生电流值与人射光照度正比例，光生伏特与光照度大部分正比例。由于光生电子元器件、空蚀在扩散过程时候分别与半导体器件空蚀、电子元器件复合性，因此载流子的使用期与扩散长度有关。只有使PN结距表面的厚薄小于扩散长度，可以造成光电流导致光生伏特。在建筑项目上，应用变更PN结距表面厚薄的规格的方法，可以调整依据PN结光生伏特效应的半导体器件的相频特性特性、光电流跟光生电势差规格。
霍尔效应传感器感测到的信息馈送到逻辑电路，该逻辑电路进一步编码该信息并控制驱动电路。这种类型的反馈机制由霍尔效应传感器提供，用于测量用于许多BLDC电机控制应用的转子的速度和位置，因为它具有更大的灵活性。霍尔效应电流传感器用于测量交流和直流电流。通过使用线性模拟霍尔效应传感器，可以测量从250mA到数千安培的电流。这种隔离的模拟输出电压被进一步数字化，并且通过添加放大器进行电平转换和温度补偿。载流导体被磁场包围，因此在该磁场附近放置线性霍尔效应传感器，然后在传感器的输出端产生电压，如下图所示。该电压与导体周围的磁场强度成比例。