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  后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,当电流垂直于外磁场通过导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。在式(1)中:若保持控制电流Ic不变,在一定条件下,可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小,由此建立了磁场与电压信号的联系,根据这一关系式,人们研制了用于测量磁场的半导体器件即霍尔元件。

  霍尔效应的本质是:固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示:参加材料导电过程的不带负电的电子,还有带正电的空穴。

  M1电流传感器为了消除上述磁场检测型在安装难度(有铁芯)和功率损耗(无铁芯)方面的缺点,ROHM开发出了使用MI(Magneto Impedance)元件的磁场检测型非接触型电流传感器。MI传感器作为使用非晶丝,利用其磁阻抗效应的新一代传感器,其特点是具备超高灵敏度的磁性检测能力。灵敏度远超霍尔元件,可高精度检测磁性的微小变化。因此,无需将电流引入封装内,也能以高精度进行非接触式电流检测(磁性检测)。

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