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  回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列,固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA,时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列

  开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列,传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。

  什么是霍尔传感器?霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。由于霍尔元件产生的电势差很小,故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上,称之为霍尔传感器。霍尔传感器也称为霍尔集成电路,其外形较小,如下图所示:

  电感式传感器的核心部分是可变的自感或互感,在将被测量转换成线圈自感或互感的变化时,一般要利用磁场作为媒介或利用铁磁体的某些现象。这类传感器的主要特征是具有电感绕组。电感式传感器的特点结构简单:没有活动的电触点,寿命长。灵敏度高:输出信号强,电压灵敏度每毫米能达到上百毫伏。分辨率大:能感受微小的机械位移与微小的角度变化。重复性与线性度好:在一定位移范围内,输出特性的线性度好,输出稳定。

  N型或P型掺杂半导体在光照射下,光子能量只要分别大于施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei(eV),光能即被吸收,激发出能参与导电的光生电子或空穴。掺杂半导体产生光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。图 光电导效应机理图当光敏电阻接上直流电压Vb,并用一定强度、波长小于λ0的光线连续照射时,其输出直流电流i0为式中,η 内光量子效率(光生载流子数与人射光子数之比);μc——多数载流子的迁移率;τ——多数载流子寿命;d——光敏电阻两电间距;p——入射光功率;e——普朗克常数,为6.6261×10-34J•s。

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