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  回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列,固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA,时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列

  开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列,传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。

  关于霍尔效应理论霍尔效应是由Edwin Hall于1879年在约翰霍普金斯大学通过实验发现的。由于当时有仪器可用,由于实验的微妙性质,从材料获得的电压低(以微伏为单位)。因此,在开发出合适的材料之前,在实验室之外不可能使用霍尔效应。半导体材料的发展为霍尔效应的实际应用制造了高质量的换能器。霍尔效应是指放置在磁场中的载流导体的相对边缘产生电压。当电流通过放置在磁场中的导体时,导体上会在垂直于磁场和电流的方向上产生电位差,其大小与电流和磁场成正比,这种现象被称为霍尔效应,它是许多磁场测量仪器和设备的基础。

  电磁炉是我们日常生活中必备的家用电器之一,涡流传感器是其核心器件之一,高频电流通过励磁线圈,产生交变磁场;在铁质锅底会产生无数的电涡流,使锅底自行发热,烧开锅内的食物。电磁炉工作示意图电涡流式接近开关能在一定的距离(几毫米至几十毫米)内检测有无物体靠近。当物体接近到设定距离时,就可发出“动作”信号。接近开关的核心部分是“感辨头”,它对正在接近的物体有很高的感辨能力。这种接近开关只能检测金属。

  灵敏度KH=EH/IB,它的数值约为10MV(MA.T)左右。大磁感应强度BM---霍尔传感器参数磁感应强度超过BM时,霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大,特斯捡(T)成几千高斯(Gs)(1Gs=104T)。在额定激励电流F,当外加磁场为零时它是由于4个屯的几何尺寸不对称引起的误差。霍尔传感器屯势温度系数6M的数值一般为零点刀霍尔传感器输出端之间的开路电压称为不等位电势,使用时多采用电桥法来补偿不等位电势引起日在一定磁感应强度和激励电流的作用下,温度每变化1摄氏度时,霍尔传感器电势变化的百分数弱为霍尔传感器电势温度系数,它与霍尔传感器元件的材料有关。

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