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应用型传感器:是基本型传感器或组合型传感器与其他机构组合而构成的传感器。按作用形式可分为主动型和被动型传感器。主动型传感器:又有作用型和反作用型,此种传感器对被测对象能发出一定探测信号,能检测探测信号在被测对象中所产生的变化,或者由探测信号在被测对象中产生某种效应而形成信号。检测探测信号变化方式的称为作用型,检测产生响应而形成信号方式的称为反作用型。雷达与无线电频率范围探测器是作用型实例,而光声效应分析装置与激光分析器是反作用型实例。
光电导效应。当入射光子射入到半导体表面时,半导体吸收入射的光子产生电子空穴对,使其自身电导率发生变化的现象(光敏电阻、光电二管、光电三管)。光生伏特效应。光照射引起PN结两端产生电动势(光电池)。红限频率:产生光电效应所需照射光的频率叫做红限频率(又称截止频率)。逸出功:电子克服原子核的束缚,从材料表面逸出所需的小能量,称为逸出功。爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其中,Ek 表示逸出的光电子所具有的动能,普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s,ν 表示入射光的频率,Wo表示逸出功 )。
值得注意的是,光照特性(随光照强度变化的特性)、温度系数(随温度变化的特性)、伏安特性不是线性的,如以CdS(硫化镉)光敏电阻的光阻有时随温度的增加而增大,有时随温度的增加又变小。硫化镉光敏电阻器的参数:型号规格 MG41-22 MG42-16 MG44-02 MG45-52环境温度(℃) -40~+60 -25~+55 -40~+70 -40~+70额定功率(mW) 20 10 5 200亮阻,100lx(kΩ) ≤2 ≤50 ≤2 ≤2暗阻, 0lx(MΩ) ≥1 ≥10 ≥0.2 ≥1响应时间 (ms) ≤20 ≤20 ≤20 ≤20高工作电压(v) 100 50 20 2502、光电二管和普通二管相比,除它的管芯也是一个PN结、具有单向导电性能外,其他均差异很大。