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原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离,隔离电压可达9600Vrms;精度高:在工作温度区内精度优于1%,该精度适合于波形的测量;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs;但是,电压传感器带宽较窄,一般在15kHz以内,6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS,带宽约700Hz。
M1电流传感器为了消除上述磁场检测型在安装难度(有铁芯)和功率损耗(无铁芯)方面的缺点,ROHM开发出了使用MI(Magneto Impedance)元件的磁场检测型非接触型电流传感器。MI传感器作为使用非晶丝,利用其磁阻抗效应的新一代传感器,其特点是具备超高灵敏度的磁性检测能力。灵敏度远超霍尔元件,可高精度检测磁性的微小变化。因此,无需将电流引入封装内,也能以高精度进行非接触式电流检测(磁性检测)。
温度升高,输入电阻变小,从而使输入电流变大,引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响,好采用恒流源作为激励源。两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻,它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配,可以使由温度引起的程水电势的漂移减至小。大激励电流I---霍尔传感器参数由于霍尔传感器电势随激励电流的增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流1M但激励电流增大,程尔元件的功耗增大,元件的温皮升高,从而引起霍尔传感器屯势的温漂增大,因此每种型号的几件均规定了相应的大激励电流,它的数值从几毫安至几百毫安。