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光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件，这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下，物块内的电子元器件逸出物块表面，向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化，或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下，电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况，而导致原料电阻器的变化，这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻（也称电子光学塑料软管），其普遍的原料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。
由光通量对光电元件的作用原理不同所制成的光学测控系统是多种多样的，按光电元件（光学测控系统）输出量性质可分二类，即模拟式光电传感器和脉冲（开关）式光电传感器。模拟式光电传感器是将被测量转换成连续变化的光电流，它与被测量间呈单值关系。模拟式光电传感器按被测量（检测目标物体）方法可分为透射（吸收）式，漫反射式，遮光式（光束阻档）三大类。所谓透射式是指被测物体放在光路中，恒光源发出的光能量穿过被测物，部份被吸收后，透射光投射到光电元件上；所谓漫反射式是指恒光源发出的光投射到被测物上，再从被测物体表面反射后投射到光电元件上；所谓遮光式是指当光源发出的光通量经被测物光遮其中一部份，使投射到光电元件上的光通量改变，改变的程度与被测物体在光路位置有关。
VH=HIB sinα其中H是整体灵敏度系数，它取决于板材料、温度及其几何形状，α是磁场矢量和霍尔板之间的角度，I是电流密度。另外，整体灵敏度取决于霍尔系数，霍尔系数是每单位电流密度每单位磁场强度的横向电势梯度。因此，霍尔系数给出为:H = 1/Ncq、其中c是光速，N是每单位体积的电子数。霍尔效应传感器如果传感器使用霍尔效应来感知磁场的存在，这种传感器称为霍尔效应传感器。磁传感器的基本元件是霍尔元件，这些传感器通常封装在一个四端子外壳中，其中两个端子是控制端子，另外两个是差分输出端子。