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通过上文的介绍不难看出,霍尔效应传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,可以广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。另外,霍尔效应传感器也是一个换能器,它将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场,此外还可测量产生和影响磁场的物理量,例如被用于接近开关、位置测量、转速测量和电流测量设备。霍尔传感器是排名第三的传感器产品,它被广泛应用到工业、汽车业、电脑、手机以及新兴消费电子领域。
侧边光生伏特效应的工作上基本原理是,半导体器件光照部分吸收人射光子美容的机械能导致电子元器件空蚀对,使该部分载流子质量浓度高过未被光照部分,因而出现了浓度梯度,造成载流子的扩散。由于电子元器件迁移率比空蚀的大,因此电子元器件开始向未被光照部分扩散,造成被光照部分带正电,未被光照部分带负电,两部分正中间导致光电动势。PN结光生伏特效应光直射距表面很近的半导体器件PN结时,结及附近的半导体器件消化光能。若光子美容机械能超出禁带宽度,则价带电子元器件自由电子到导带,变为自由电子,而价带则相对性变为随便空蚀。这类电子元器件空蚀对在PN结內部电场的作用下,电子元器件调向N区两边,空蚀调向P区两边,结果P区带正电,N区带负电,造成光电动势。
式中,η 内光量子效率高(光生载流子数与人射光子美容数占比);μc——大多数载流子的迁移率;τ——大多数载流子使用期;d——光敏电阻两电级间距;p——光源射进功率;e——普朗克常数,为6.6261×10-34J s。随光能的提高,光生载流子质量浓度虽然也因之激增,但一块儿电子元器件与空蚀间的复合性速度也加快,因此低于截止波长的光动能与半导体所导致的光电流的特性趋势图并非线性相关。