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几种硅光电二管的典型光谱响应。可以注意到，光电二管在900纳米附近的近红外范围内 具有高的敏感度，而在横跨400纳米～700纳米的可见光范围内具有非线性的敏感度。 由于标准的硅响应的缘故，从摄像机中去掉IR滤波器会增加近红外的灵敏度。(光谱数据图像的使用已获得OSI光电股份有限公司的许可)注意，当读入原始数据，并将该数据离散化成数字像素时，会导致硅光谱响应。传感器制造商在这个区域做了设计补偿，然而，当根据应用标定摄像机系统并设计传感器处理方法时，应该考虑传感器的颜响应。
光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为:发送器、接收器和检测电路。发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二管（LED）、激光二管及红外发射二管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。接收器有光电二管、光电三管、光电池组成。在接收器的前面，装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路，它能滤出有效信号和应用该信号。