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光电效应的实验装置如下图所示。光电管的阳A接高电位,阴K接低电位,则阳和阴之间有一加速电场,电场方向由A指向K。之间的电压由电压表V读出,电压的大小由电位器R给定。图中,G是灵敏电流计。实验指出,当阴没有受到光照射时,电路中几乎没有电流;当阴受到光照射时,电路中就立即有电流出现。光照多久,电流就维持多久;光照停止,电流也就消失。这就说明当光照射时,有电子从光电阴逸出。在加速电场作用下,电子飞向阳,从而在回路中形成光电流。
控制电流施加在控制端子上,而在差分输出端子观察输出。一个基本的霍尔效应传感器将磁场转换为电信号。磁系统将位置、速度、电流、温度等物理量转换为磁场,而磁场又可以由霍尔效应传感器感应。霍尔效应传感器由硅材料制成,主要分为两种类型,即基本传感器和集成传感器。有源元件的霍尔系数和电流密度是制造霍尔效应传感器以产生高输出电压时要考虑的两个重要参数。因此,高霍尔系数和低电阻是霍尔元件的两个重要要求。用于制造这些传感器元件的一些材料包括InSb、Ge、InAs和GaAs。
随光能的增加,光生载流子浓度虽然也因之剧增,但同时电子与空穴间的复合速度也加快,因此低于截止波长的光能量与半导体所产生的光电流的特性曲线不是线性关系。光生伏特效应 物体(如半导体)在光的照射下能产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基。于该效应的光电器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其产生电势的机理可分为:侧向光生伏特效应侧向光生伏特效应又称殿巴(Dember)效应。