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测量范围广泛:电流测量可达50KA,电压测量可达6400V。结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。即是一种典型的霍尔传感器实现定位应用---一个轮上的两个磁铁经过霍尔效应传感器。图示中的轮子,带有两个等距的磁铁,传感器上的电压在一个周期内将两次达到峰值。通常被用于计量车轮和轴的速度,例如在内燃机点火定时(正时)或转速表上。其在无刷直流电动机的使用,用来检测永磁铁的位置。
侧边光生伏特效应的工作上基本原理是,半导体器件光照部分吸收人射光子美容的机械能导致电子元器件空蚀对,使该部分载流子质量浓度高过未被光照部分,因而出现了浓度梯度,造成载流子的扩散。由于电子元器件迁移率比空蚀的大,因此电子元器件开始向未被光照部分扩散,造成被光照部分带正电,未被光照部分带负电,两部分正中间导致光电动势。PN结光生伏特效应光直射距表面很近的半导体器件PN结时,结及附近的半导体器件消化光能。若光子美容机械能超出禁带宽度,则价带电子元器件自由电子到导带,变为自由电子,而价带则相对性变为随便空蚀。这类电子元器件空蚀对在PN结內部电场的作用下,电子元器件调向N区两边,空蚀调向P区两边,结果P区带正电,N区带负电,造成光电动势。
N型或P型参杂半导体器件在光照射下,光子美容机械能如果分别超出施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei(eV),得出图(b)或图(c)图例,光能即被消化,激发能够报名参加导电率的光生电子元器件或空蚀。参杂半导体器件导致光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。 电子光学导效应电路原理图当光敏电阻接上交流电流Vb,共用务必抗拉强度、光波长小于λ0的灯源不断照射时,其输出交流电压i0为