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光电效应的实验装置物质在光的作用下释放出电子，这种现象叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。受光照物体电导率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率的变化，这种现象称为光电导效应。大多数的高电阻率半导体都具有光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻（也称光电导管），其常用的材料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。
根据应用的不同，霍尔效应传感器有多种配置。这些是流行的测量设备，用于工业过程控制、生物医学、汽车、电信、自动柜员机等各种应用领域。霍尔效应传感器被广泛用作位置传感器、液位测量、限位开关和流量测量。一些器件基于霍尔效应工作，例如霍尔效应电流传感器、霍尔效应叶片开关和霍尔效应磁场强度传感器。其中的一些应用如下所述。霍尔效应传感器用于感测滑动运动，在这种类型的传感器中，霍尔元件和磁体之间将有一个严格控制的间隙，具体如下图所示:
使用这些传感器，输出电压在电源施加的限制范围内，因此，在达到电源限制之前，放大器将开始饱和，如上图所示。需要注意的是，饱和发生在放大器中，而不发生在霍尔元件中，因此较大的磁场不会对霍尔效应传感器造成损坏。此外，这些传感器相对于磁场不是很线性，因此它们需要适当的校准才能进行高精度测量。与此同时，通过在差分放大器的输出端增加推挽晶体管、集电开路或发射开路，增加了器件的接口灵活性。