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纯半导体在光线照射下，其禁带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度Eg（eV）的光子的激发，由价带越过禁带跃迁到导带，成为自由电子。同时，价带也因此而形成自由空穴。致使纯半导体中导带的电子和价带的空穴浓度增大，半导体电阻率减小。电子和空穴统称为载流子。它们在端电压作用下均可形成光电流。当光照停止后，自由电子被失去电子的原子俘获，电阻又恢复原值。能使价带电子跃迁到导带的光谱范围中，其大的波长λ0（nm）称为截止波长，λ0≈1240/Eg。
此外，这些脉冲由处理器控制以确定并显示RPM中的速度。这些传感器可以是数字或线性模拟输出传感器。无刷直流电机传感器无刷直流电机的功率分配由电子换向控制，而不是机械换向。三个双性霍尔效应传感器放置在定子一端靠近转子磁面的位置，以执行电子换向。为了操作这些传感器，永磁材料安装在转子轴上。这些传感器测量旋转磁铁的位置，以便确定何时应将电流施加到电机线圈的电流上，从而使磁铁朝正确的方向旋转。
光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。