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光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
地球被磁场磁力所包围，这被称为地磁。地磁传感器是检测地球磁力的传感器，也被称为“电子罗盘”。地磁传感器可以通过检测地磁来检测方向。地磁传感器有X和Y两轴型以及添加了Z的三轴型，并测量各方向上的磁力值。如果不考虑诸如简单罗盘之类的倾斜，则仅使用X轴和Y轴的值。当考虑倾斜时，需要将地磁传感器的3轴值与加速度传感器相结合，将其校正到正确的方向。如果地磁传感器水平旋转，在不受周围磁场影响的理想情况下，输出分布图的圆心变为零。然而，实际上中心因环境磁场的影响而移动，因此需要进行调整以将圆心移动到零。
光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应，如光电池等。