黑龙江上门回收欧姆龙plc扩展模块服务热线
回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列，固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA，时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列
开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列，传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。
两块永久磁铁同性相对放置，将线性型霍尔传感器置于中间，其磁感应强度为零，这个点可作为位移的零点，当霍尔传感器在Z轴上作△Z位移时，传感器有一个电压输出，电压大小与位移距离大小成正比。如果把拉力、压力等参数变成位移距离，便可测出拉力及压力的大小，如下图所示，是按这一原理制成的力矩传感器。开关型霍尔传感器主要用于测转数、转速、风速、流速、接近开关、关门告知器、报警器、自动控制电路等。
VH=HIB sinα其中H是整体灵敏度系数，它取决于板材料、温度及其几何形状，α是磁场矢量和霍尔板之间的角度，I是电流密度。另外，整体灵敏度取决于霍尔系数，霍尔系数是每单位电流密度每单位磁场强度的横向电势梯度。因此，霍尔系数给出为:H = 1/Ncq、其中c是光速，N是每单位体积的电子数。霍尔效应传感器如果传感器使用霍尔效应来感知磁场的存在，这种传感器称为霍尔效应传感器。磁传感器的基本元件是霍尔元件，这些传感器通常封装在一个四端子外壳中，其中两个端子是控制端子，另外两个是差分输出端子。
N型或P型掺杂半导体在光照射下，光子能量只要分别大于施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei（eV），光能即被吸收，激发出能参与导电的光生电子或空穴。掺杂半导体产生光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。图 光电导效应机理图当光敏电阻接上直流电压Vb，并用一定强度、波长小于λ0的光线连续照射时，其输出直流电流i0为式中，η 内光量子效率（光生载流子数与人射光子数之比）；μc——多数载流子的迁移率；τ——多数载流子寿命；d——光敏电阻两电间距；p——入射光功率；e——普朗克常数，为6.6261×10-34J•s。