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回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列，固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA，时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列
开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列，传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。
在各种传感技术中，常用和广泛的检测磁场的方法是霍尔效应法。基于霍尔效应，在各种应用中发现了许多霍尔效应传感器或换能器，它们常用于感测接近度、速度、电流和位置。这是因为可以在集成电路上构建霍尔效应传感器，并在同一硅芯片上使用辅助信号处理电路。由于体积小、坚固耐用、易于使用和成本集成等优点，霍尔效应传感器是许多磁测量应用的首选。使用这些霍尔效应传感器的一些应用领域包括在工业控制中用作编码器、速度传感器和行程终点传感器;在计算机中用作磁盘驱动器索引传感器和无刷风扇的换向;在汽车中用作防抱死制动系统 (ABS) 和点火正时，在消费设备中用作运动器材等。
式中，η 内光量子效率高（光生载流子数与人射光子美容数占比）；μc——大多数载流子的迁移率；τ——大多数载流子使用期；d——光敏电阻两电级间距；p——光源射进功率；e——普朗克常数，为6.6261×10-34J s。随光能的提高，光生载流子质量浓度虽然也因之激增，但一块儿电子元器件与空蚀间的复合性速度也加快，因此低于截止波长的光动能与半导体所导致的光电流的特性趋势图并非线性相关。
在实际使用中，常采用两个相同的传感线圈共用一个衔铁，构成差动式自感传感器，两个线圈的电气参数和几何尺寸要求相同。这种结构除了可以改善线性、提高灵敏度外，对温度变化、电源频率变化等的影响也可以进行补偿，从而减少了外界影响造成的误差，可以减小测量误差。a、差动式自感传感器的结构(a)变气隙式； （b）变面积式； （c）螺管式差动式自感传感器b、差动式自感传感器的特点差动气隙式电感传感器由两个相同的电感线圈1、2和磁路组成。