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光生伏特效应 物块(如半导体器件)在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴(Dember)效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时,由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件(统称PSD),或称旋转光敏二管。
传感器未来发展趋势随着万物互联时代的到来,以及新材料,新技术的广泛应用,传感器将呈现以下发展趋势。“智能化” 。传感器的智能化,主要表现在自主感知、自主决策等方面能力的升级和增强,同时与人之间的交互也会更加流畅。“微型化” 。传感器本质属于半导体,遵循摩尔定律,微型化是其发展的趋势之一。微型化的传感器一方面能够降低加工生产成本,另一方面微型传感器的能耗也能够得到大幅度的降低。
当半导体光电器件的光灵敏面受光照不均匀时,由载流子浓度梯度而产生的光电效应称为侧向光生伏特效应。基于该效应工作的光电器件有半导体位置敏感器件(简称PSD),或称反转光敏二管。侧向光生伏特效应的工作机理是,半导体光照部分吸收人射光子的能量产生电子空穴对,使该部分载流子浓度高于未被光照部分,因而出现了浓度梯度,形成载流子的扩散。由于电子迁移率比空穴的大,因此电子首先向未被光照部分扩散,致使被光照部分带正电,未被光照部分带负电,两部分之间产生光电动势。