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N型或P型参杂半导体器件在光照射下，光子美容机械能如果分别超出施主能级和导带底能级差或受主能级与满带顶能级差Ei（eV），得出图（b）或图（c）图例，光能即被消化，激发能够报名参加导电率的光生电子元器件或空蚀。参杂半导体器件导致光生载流子的截止波长为λ0≈1240/Ei。 电子光学导效应电路原理图当光敏电阻接上交流电流Vb，共用务必抗拉强度、光波长小于λ0的灯源不断照射时，其输出交流电压i0为
模拟霍尔效应传感器与基本霍尔传感器相比，模拟霍尔效应传感器在更宽的电压范围内工作，并且在嘈杂的环境中也很稳定。下图显示了模拟输出霍尔效应器件，它产生的模拟电压与它所暴露的磁场成正比。放大器具有偏置或固定偏移，因此当磁场不存在时，偏置电压出现在输出端，这被认为是零电压。霍尔元件处的磁场可以是正的也可以是负的。因此，当感测到正磁场时，输出电压增加到高于零值，而当感测到负磁场时，输出降低到零值以下。
霍尔效应集成电路(IC)传感器该集成技术与霍尔效应原理相结合，产生霍尔效应IC开关。与光电或电感传感器相比，霍尔效应IC开关更有效、成本更低且效率更高。这种传感器是一个单一的集成电路芯片，上面内置了信号放大器、霍尔电压发生器和施密特触发电路等各种元件。这些IC可检测铁磁材料、永磁体或电磁体在施加偏磁的情况下的磁场强度变化。这些IC用于各种应用，例如对准控制、速度控制、点火系统、机械限位开关、机床、计算机、键盘、按钮、系统等。