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  回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列,固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA,时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列

  开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列,传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。

  温度或压力传感器霍尔效应传感器也可用作压力和温度传感器,这些传感器与带有适当磁铁的压力偏转膜片结合在一起,波纹管的磁性组件来回致动霍尔效应元件。在压力测量的情况下,波纹管受到膨胀和收缩。波纹管的变化导致磁性组件移动靠近霍尔效应元件。因此,产生的输出电压与施加的压力成正比。在温度测量的情况下,波纹管组件用具有已知热膨胀特性的气体密封。当腔室被加热时,波纹管内的气体会膨胀,这会导致传感器产生与温度成比例的电压。

  硅制图像传感器应用广,当然也会使用其他材料,比如在工业和军事应用中会用镓(Ga)来覆盖比硅更长的红外波长。不同的摄像机,其图像传感器的分辨率会有所不同。从单像素光电晶体管摄像机(它通过一维直线扫描阵列用于工业应用),到普通摄像机上的二维长方形阵列(到球形整列的路径均用于高分辨率成像),都有可能用到。(本章会介绍传感器配置和摄像机配置)。普通成像传感器采用CCD、CMOS、BSI和Foveon方法进行制造。硅制图像传感器具有一个非线性的光谱响应曲线,这会很好地感知光谱的近红外部分,但对蓝、紫和近紫外部分就感知得不好。

  基于此效应的光电器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。通过设计和制造工艺,使光电池工作在无外接电源下,则以光伏效应工作。光敏管工作在反向偏压下,则同时存在光导效应和光伏效应。它们输出的光电流与光照强度均具有线性关系。光电磁效应(简称PEM效应)半导体受强光照射,并在光照垂直方向外加磁场时,垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。它可以看成是光扩散电流的霍尔效应。

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