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  回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列,固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA,时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列

  开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列,传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。

  光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件,这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下,物块内的电子元器件逸出物块表面,向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化,或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下,电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况,而导致原料电阻器的变化,这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻(也称电子光学塑料软管),其普遍的原料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。

  这种变送器可分档测量(–5×105~6×105)N/m2压力,输出信号电压为(0~50)mV,精度为1.5级。用于测定振动物体的频率和振幅时其激励频率是振动频率的十倍以上,才能得到的测量结果。可测量的振幅为(0.1~5)mm,振动频率为(0~150)Hz。电涡流式传感器的应用电涡流式传感器具有测量范围大、灵敏度高、结构简单、抗干扰能力强和可以非接触测量等优点,被广泛应用于工业生产和科学研究各个领域中。

  控制电流施加在控制端子上,而在差分输出端子观察输出。一个基本的霍尔效应传感器将磁场转换为电信号。磁系统将位置、速度、电流、温度等物理量转换为磁场,而磁场又可以由霍尔效应传感器感应。霍尔效应传感器由硅材料制成,主要分为两种类型,即基本传感器和集成传感器。有源元件的霍尔系数和电流密度是制造霍尔效应传感器以产生高输出电压时要考虑的两个重要参数。因此,高霍尔系数和低电阻是霍尔元件的两个重要要求。用于制造这些传感器元件的一些材料包括InSb、Ge、InAs和GaAs。

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