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未来几年，随着越来越多的汽车电子和工业设计企业转移到中国，霍尔传感器在中国市场的年销售额将保持20%到30%的高速增长。与此同时，霍尔传感器的相关技术仍在不断完善中，可编程霍尔传感器、智能化霍尔传感器以及微型霍尔传感器将有的市场前景。什么是霍尔效应？霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
用于流量测量的霍尔效应传感器。该腔室设有流体流入和流出的开口，流体流过这些开口。带有螺纹轴布置的弹簧加载桨使磁性组件朝向霍尔磁体来回移动。随着通过腔室的流速增加，弹簧加载的桨叶转动螺纹轴。因此，当轴转动时，磁性组件会向上升高，从而使传感器通电。当流量减少时，弹簧线圈会导致磁性组件下降。因此，换能器输出降低。整个布置经过校准，使得测得的电压和流速之间存在线性关系。在这种方法中，霍尔效应传感器用于确定浮子的高度，从而测量罐中的液位。下图说明了浮子和霍尔效应元件在罐中的布置。浮子附有一块磁铁，这样它的驱动就会改变离霍尔元件远近的磁场距离。
光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件，这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下，物块内的电子元器件逸出物块表面，向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化，或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下，电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况，而导致原料电阻器的变化，这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻（也称电子光学塑料软管），其普遍的原料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。