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这里考虑一个简单的设置来说明如下所示的霍尔效应。导电材料或板由电池供电，电流(I)流过它。电压表的一对探头连接到板的侧面，使得在没有磁场的情况下测量的电压为零。当向板上施加磁场使其与电流成直角时，导体中的电流分布会出现一个小电压。该力作用在电流上并将电流聚集到导线或导体的一侧，从而在导体上产生电位差。如果磁场的性反转，则感应电压也会反转穿过板。这种现象就是霍尔效应。霍尔效应是基于外部磁场和移动电荷载流子之间的相互作用，通过磁场作用在移动电子上的侧向力为:F=qvB。
M1电流传感器为了消除上述磁场检测型在安装难度（有铁芯）和功率损耗（无铁芯）方面的缺点，ROHM开发出了使用MI（Magneto Impedance）元件的磁场检测型非接触型电流传感器。MI传感器作为使用非晶丝，利用其磁阻抗效应的新一代传感器，其特点是具备超高灵敏度的磁性检测能力。灵敏度远超霍尔元件，可高精度检测磁性的微小变化。因此，无需将电流引入封装内，也能以高精度进行非接触式电流检测（磁性检测）。
温度或压力传感器霍尔效应传感器也可用作压力和温度传感器，这些传感器与带有适当磁铁的压力偏转膜片结合在一起，波纹管的磁性组件来回致动霍尔效应元件。在压力测量的情况下，波纹管受到膨胀和收缩。波纹管的变化导致磁性组件移动靠近霍尔效应元件。因此，产生的输出电压与施加的压力成正比。在温度测量的情况下，波纹管组件用具有已知热膨胀特性的气体密封。当腔室被加热时，波纹管内的气体会膨胀，这会导致传感器产生与温度成比例的电压。