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PN结光生伏特效应光照射到距表面很近的半导体PN结时,结及附近的半导体吸收光能。若光子能量大于禁带宽度,则价带电子跃迁到导带,成为自由电子,而价带则相应成为自由空穴。这些电子空穴对在PN结内部电场的作用下,电子移向N区外侧,空穴移向P区外侧,结果P区带正电,N区带负电,形成光电动势。PN结光生电流与人射光照度成正比,光生伏特与照度对数成正比。由于光生电子、空穴在扩散过程中会分别与半导体空穴、电子复合,因此载流子的寿命与扩散长度有关。只有使PN结距表面的厚度小于扩散长度,才能形成光电流产生光生伏特。在工程上,利用改变PN结距表面厚度的大小的方法,可以调整基于PN结光生伏特效应的光电器件的频率响应特性、光电流和光生电势大小。
综上所述,MI电流传感器可进行非接触式电流测量,功率损耗少,还能进一步缩小贴装面积。感光传感器(光传感器)中,检测R(红)、G(绿)、B(蓝)3原的叫作颜传感器。颜传感器通过光电二管接收周围光线,检测RGB值。颜传感器的原理向物体照射具有RGB成分的光,反射光的颜成分会随物体的颜发生改变。例如,红物体的反射光成分为红,黄物体为红和绿、白则包含红、绿、蓝成分。由此可知,物体的颜由物体反射的光(R、G、B)成分的比例决定。人眼是通过获取反射光成分来识别物体的颜。在漆黑的场所什么都看不见吧!这是因为没有照射光,反射光自然也不存在,所以看上去是漆黑一片。与人眼一样,颜传感器是使用光电二管接收光线,通过计算接收到的R、G、B量的比例来识别颜。
霍尔传感器广泛应用在变频调速装置、逆变装置、UPS电源、通信 电源、电焊机、电力机车、变电站、数控机床、电解电镀、微机监测、电网监测等需要隔离检测电流的设施中以及新兴的太阳能、风能和地铁轨道信号、汽车电子等领域。霍尔传感器的主要特性参数前面介绍过了霍尔传感器是一种根据霍尔效应制作的磁场传感器,它的主要特性参数有以下几类。霍尔传感器元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几欧到儿百欧,视不同型号的元件而定。