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光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件，这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下，物块内的电子元器件逸出物块表面，向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化，或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下，电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况，而导致原料电阻器的变化，这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻（也称电子光学塑料软管），其普遍的原料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。
温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响，好采用恒流源作为激励源。两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配，可以使由温度引起的程水电势的漂移减至小。大激励电流I---霍尔传感器参数由于霍尔传感器电势随激励电流的增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流1M但激励电流增大，程尔元件的功耗增大，元件的温皮升高，从而引起霍尔传感器屯势的温漂增大，因此每种型号的几件均规定了相应的大激励电流，它的数值从几毫安至几百毫安。
扩散反射型光电开关它的检测头里也装有一个发光器和一个收光器，但前方没有反光板。正常情况下发光器发出的光收光器是找不到的。当检测物通过时挡住了光，并把光部分反射回来，收光器就收到信号，输出一个开关信号。漫反射型:一般型或能量型 （-8），聚焦式 （-8-H），带背景抑制功能型 （-8-H），带背景分析功能型 （-8-HW）反射板型:一般型 （-6），带偏振滤波功能型 （-54, -55），带透明体检测功能型 （-54-G），带前景抑制功能型 （-54-V）