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电阻率(电导率)因施加在该电阻上的压力而变化的现象称为压阻效应。罗姆的气压传感器IC将使用压阻式压力接收元件(隔膜结构和压阻集成在一起MEMS),以及温度校正处理、控制电路等的集成电路(ASIC)集成在一个封装里,可以轻松获得高精度的气压信息。加速度是指单位时间内产生的速度,测量加速度的IC就叫加速度传感器。通过测量加速度,可以测得物体的倾斜、振动等信息。加速度单位为m/s2(单位制SI)。另外,单位G是以标准重力(1 G = 9.806 65m/s2)为基准的加速度值。还有用于检测地震震动的加速度的单位Gal(CGS单位制)。
通过上文的介绍不难看出,霍尔效应传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,可以广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。另外,霍尔效应传感器也是一个换能器,它将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场,此外还可测量产生和影响磁场的物理量,例如被用于接近开关、位置测量、转速测量和电流测量设备。霍尔传感器是排名第三的传感器产品,它被广泛应用到工业、汽车业、电脑、手机以及新兴消费电子领域。
霍尔效应的本质是:固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示:参加材料导电过程的不带负电的电子,还有带正电的空穴。