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式中，η 内光量子效率高（光生载流子数与人射光子美容数占比）；μc——大多数载流子的迁移率；τ——大多数载流子使用期；d——光敏电阻两电级间距；p——光源射进功率；e——普朗克常数，为6.6261×10-34J s。随光能的提高，光生载流子质量浓度虽然也因之激增，但一块儿电子元器件与空蚀间的复合性速度也加快，因此低于截止波长的光动能与半导体所导致的光电流的特性趋势图并非线性相关。
纯半导体在光线照射下，其禁带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度Eg（eV）的光子的激发，由价带越过禁带跃迁到导带，成为自由电子。同时，价带也因此而形成自由空穴。致使纯半导体中导带的电子和价带的空穴浓度增大，半导体电阻率减小。电子和空穴统称为载流子。它们在端电压作用下均可形成光电流。当光照停止后，自由电子被失去电子的原子俘获，电阻又恢复原值。能使价带电子跃迁到导带的光谱范围中，其大的波长λ0（nm）称为截止波长，λ0≈1240/Eg。
上述的原因分析是对光电传感器本身的考虑，我们还需要考虑的是检测物体的位置问题，如果检测物体不在检测区域，这样的检测是徒劳的。检测物体在传感器可以检测的区域内，也就是光电可以感知的范围内。其次，要考虑传感器光轴有没有对准问题，对射型的投光部和受光部光轴对准，对应的回归反射型的探头部分和反光板光轴对准。同样还要考虑的是检测物体是否符合标准检测物体或者小检测物体的标准，检测物体不能小于小检测物体的标准，从而避免导致对射型、反射型不能很好检测透明物体，像反射型对检测物体的颜有要求，颜越深，检测距离就越近。