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如果S保持不变，则L为 δ 的单值函数，可构成变气隙型自感传感器；如果保持δ 不变，使S随位移而变，则可构成变截面型自感传感器；如果在线圈中放入圆柱形衔铁，当衔铁上下移动时，自感量将相应变化，就构成了螺线管型自感传感器。变气隙式自感传感器变气隙式自感传感器结构变面积式自感传感器变面积式自感传感器结构由于漏感等原因，其线性区范围较小，灵敏度也较低，因此，在工业中应用得不多。
光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
变气隙式差动电感压力传感器变气隙式差动电感压力传感器主要由C形弹簧管、衔铁、铁芯和线圈等组成。变气隙式差动电感压力传感器电感式传感器还可以应用于磨加工主动测量、测量长度位移量和制做电子测微仪。差动变压器式传感器可以直接用于位移测量，也可测量与位移有关的机械量，如力、力矩、压力、压差、振动、加速度、应变、液位等。力和力矩的测量差动变压器式力传感器1接头 2 膜盒 3 底座 4 线路板 5 差动变压器 6 衔铁 7 罩壳