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当磁体在固定间隙处来回移动时，感应磁场将发生变化。当元素接近北时，该场将为负，当元素接近南时，该磁场将为正。这些传感器也称为接近传感器，用于定位。下图显示了四个数字输出双传感器，它们被拧入铝制外壳并由安装在杆上的一个磁铁驱动。当磁铁在可接受的尺寸范围内移动时，这些传感器会产生信号。从参考表面开始，这些信号代表测量的距离。这种类型的布置也称为多位置感测，此类应用的佳示例是检测照片处理设备的各种镜头位置。
原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离，隔离电压可达9600Vrms；精度高:在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于波形的测量；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs；但是，电压传感器带宽较窄，一般在15kHz以内，6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS，带宽约700Hz。
光电效应的实验装置物质在光的作用下释放出电子，这种现象叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。受光照物体电导率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率的变化，这种现象称为光电导效应。大多数的高电阻率半导体都具有光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻（也称光电导管），其常用的材料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。