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依据此效应的半导体器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。依据方案设计和生产加工制作工艺，使光电池工作上在无外置电源下，则以太阳能发电站效应工作上。光感应管工作上在反方向偏压下，则一块儿存在光导效应和太阳能发电站效应。她们输出的光电流与光照强度均具有线性相关。电子光学磁效应（统称PEM效应）半导体器件受强光照照射，并在光照竖直方向多加磁场时，垂直平分光和磁场的半导体器件两侧面间导致电势差的情况称作电子光学磁效应。它可以作为是光扩散电流值的霍尔效应。
扩散反射型光电开关它的检测头里也装有一个发光器和一个收光器，但前方没有反光板。正常情况下发光器发出的光收光器是找不到的。当检测物通过时挡住了光，并把光部分反射回来，收光器就收到信号，输出一个开关信号。漫反射型:一般型或能量型 （-8），聚焦式 （-8-H），带背景抑制功能型 （-8-H），带背景分析功能型 （-8-HW）反射板型:一般型 （-6），带偏振滤波功能型 （-54, -55），带透明体检测功能型 （-54-G），带前景抑制功能型 （-54-V）
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。在式(1)中:若保持控制电流Ic不变，在一定条件下，可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小，由此建立了磁场与电压信号的联系，根据这一关系式，人们研制了用于测量磁场的半导体器件即霍尔元件。