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霍尔效应IC采用各种配置的硅CMOS技术制造。上图显示了4引脚封装的霍尔效应传感器IC。在总共4个引脚中,有2个引脚连接到恒压源,另外两个连接到电压表。连接布置电路如下图所示。当没有磁场时,测得的薄板电压可以忽略不计。当磁场以磁通线与流过霍尔元件的电流成直角的方式施加在偏置霍尔效应传感器上时,霍尔IC的输出端会产生与大小成比例的电压到磁场强度。霍尔效应传感器需要一个信号调理电路,以使其输出可用于许多其他应用。该信号条件电路进行放大、电压调节、温度补偿、线性等。目前主要有两种类型的霍尔效应传感器,即模拟霍尔效应传感器和双性霍尔效应传感器。
通过上文的介绍不难看出,霍尔效应传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,可以广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。另外,霍尔效应传感器也是一个换能器,它将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场,此外还可测量产生和影响磁场的物理量,例如被用于接近开关、位置测量、转速测量和电流测量设备。霍尔传感器是排名第三的传感器产品,它被广泛应用到工业、汽车业、电脑、手机以及新兴消费电子领域。
当磁体在固定间隙处来回移动时,感应磁场将发生变化。当元素接近北时,该场将为负,当元素接近南时,该磁场将为正。这些传感器也称为接近传感器,用于定位。下图显示了四个数字输出双传感器,它们被拧入铝制外壳并由安装在杆上的一个磁铁驱动。当磁铁在可接受的尺寸范围内移动时,这些传感器会产生信号。从参考表面开始,这些信号代表测量的距离。这种类型的布置也称为多位置感测,此类应用的佳示例是检测照片处理设备的各种镜头位置。