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后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,当电流垂直于外磁场通过导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。在式(1)中:若保持控制电流Ic不变,在一定条件下,可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小,由此建立了磁场与电压信号的联系,根据这一关系式,人们研制了用于测量磁场的半导体器件即霍尔元件。
此外,作为脉搏传感器的应用,期望通过高速采样和高精度测量来获取诸如HRV分析(压力水平)、血管年龄等各种生命体征。气压传感器是检测大气压力的传感器。根据要测量的压力值,压力传感器具有如下所示的各种材料和方法的传感器。在这些压力传感器中,检测大气压力(用于气压检测)的传感器通常被称为气压传感器。气压传感器的典型示例是使用硅(Si)半导体的压阻式。压阻式气压传感器压阻式气压传感器使用Si单晶板作为隔膜(压力接收元件),通过在其表面上扩散杂质形成电阻桥电路,将施加压力时产生的变形作为电阻值变化,来计算压力(气压)。
当磁体在固定间隙处来回移动时,感应磁场将发生变化。当元素接近北时,该场将为负,当元素接近南时,该磁场将为正。这些传感器也称为接近传感器,用于定位。下图显示了四个数字输出双传感器,它们被拧入铝制外壳并由安装在杆上的一个磁铁驱动。当磁铁在可接受的尺寸范围内移动时,这些传感器会产生信号。从参考表面开始,这些信号代表测量的距离。这种类型的布置也称为多位置感测,此类应用的佳示例是检测照片处理设备的各种镜头位置。