江苏本地回收欧姆龙CPU模块热线电话
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光电效应的实验设备如下图所示。光电管的阳处理A接高电位，负级K接低电势差，则阳处理和负级正中间有个加速电场，电场方向由A偏重K。正中间的工作频率由电流计V载入，工作频率的规格由变阻器R得出。图中，G是机敏电流计。实验注重，当负级没有遭到光照射时，开关电源原理中大部分没有电流值；当负级遭到光照射时，开关电源原理中就马上电流值出现。光照多久，电流值就维持多久；光照停止，电流值也就消散。这就说明当光照射时，有电子元器件从电子光学负级逸出。在加速电场作用下，电子元器件飞向阳处理，从而在控制电路中造成光电流。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应应使用左手定则判断。在式(1)中:若保持控制电流Ic不变，在一定条件下，可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小，由此建立了磁场与电压信号的联系，根据这一关系式，人们研制了用于测量磁场的半导体器件即霍尔元件。
基于此效应的光电器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。通过设计和制造工艺，使光电池工作在无外接电源下，则以光伏效应工作。光敏管工作在反向偏压下，则同时存在光导效应和光伏效应。它们输出的光电流与光照强度均具有线性关系。光电磁效应（简称PEM效应）半导体受强光照射，并在光照垂直方向外加磁场时，垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。它可以看成是光扩散电流的霍尔效应。