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光电效应的实验设备化合物在光的作用下释放出电子元器件，这种情况叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在灯源作用下，物块内的电子元器件逸出物块表面，向外发射点的情况称作外光电效应。依据外光电效应的半导体器件有光电管、光电倍增管等。受光照物块两线间的误差发生变化，或导致光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在灯源作用下，电子元器件消化光子美容机械能从键合状况对接到随便状况，而导致原料电阻器的变化，这种情况称作电子光学导效应。大多数的高电阻器半导体器件都具有电子光学导效应。依据这种效应的半导体器件有光敏电阻（也称电子光学塑料软管），其普遍的原料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（a-Si:H）等。
温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响，好采用恒流源作为激励源。两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻，它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配，可以使由温度引起的程水电势的漂移减至小。大激励电流I---霍尔传感器参数由于霍尔传感器电势随激励电流的增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流1M但激励电流增大，程尔元件的功耗增大，元件的温皮升高，从而引起霍尔传感器屯势的温漂增大，因此每种型号的几件均规定了相应的大激励电流，它的数值从几毫安至几百毫安。
随着液位上升，磁铁移近传感器，因此输出电压增加，而当液位下降时，该电压降低。因此，该系统提供了简单的液位测量，无需在罐内进行电气连接。转速或RPM感应是霍尔效应传感器常见的应用。在速度传感中，霍尔效应传感器以面向旋转磁铁的方式固定放置。该旋转磁铁产生操作传感器或霍尔元件所需的磁场。旋转磁铁的排列方式可以不同，这取决于应用的便利性。其中一些布置是将单个磁体安装在轴或轮毂上或通过使用环形磁体。霍尔传感器每次面对磁铁时都会发出输出脉冲。