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VH=HIB sinα其中H是整体灵敏度系数，它取决于板材料、温度及其几何形状，α是磁场矢量和霍尔板之间的角度，I是电流密度。另外，整体灵敏度取决于霍尔系数，霍尔系数是每单位电流密度每单位磁场强度的横向电势梯度。因此，霍尔系数给出为:H = 1/Ncq、其中c是光速，N是每单位体积的电子数。霍尔效应传感器如果传感器使用霍尔效应来感知磁场的存在，这种传感器称为霍尔效应传感器。磁传感器的基本元件是霍尔元件，这些传感器通常封装在一个四端子外壳中，其中两个端子是控制端子，另外两个是差分输出端子。
硅制图像传感器应用广，当然也会使用其他材料，比如在工业和军事应用中会用镓(Ga)来覆盖比硅更长的红外波长。不同的摄像机，其图像传感器的分辨率会有所不同。从单像素光电晶体管摄像机(它通过一维直线扫描阵列用于工业应用)，到普通摄像机上的二维长方形阵列(到球形整列的路径均用于高分辨率成像)，都有可能用到。(本章会介绍传感器配置和摄像机配置)。普通成像传感器采用CCD、CMOS、BSI和Foveon方法进行制造。硅制图像传感器具有一个非线性的光谱响应曲线，这会很好地感知光谱的近红外部分，但对蓝、紫和近紫外部分就感知得不好。
双性霍尔效应传感器这些传感器的输出有两个性:开或关，这些传感器也称为数字输出霍尔效应传感器。此外，放大器包含具有阈值电平的内置滞后的施密特触发器。该施密特触发器装置通过将差分放大器输出与固定基准进行比较，将模拟信号转换为数字输出。因此，当差分放大器输出大于参考值或预设值时，施密特触发器打开，而低于参考值时，施密特触发器关闭。作为磁场函数的两电平输出信号如下图所示。在这种情况下，磁滞通过引入死区消除了可避免的振荡，在死区中，在参考值或预设值通过后，动作被禁用。